SSM3J130TU,LF
自营可供
IC
2-2U1A
SSM3J130TU,LF
特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 63.2mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 41.1mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 31.0mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 25.8mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)
品牌
TOSHIBA
封装
2-2U1A
交期
现货
批次
—
SSM3J130TU,LF参数
| 封装 | 2-2U1A |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.8nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
| 商品名称 | 场效应晶体管， P沟道硅MOS型 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.9mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
| 商品型号 | SSM3J130TU, LF |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 1.5e-05 |
SSM3J130TU,LF概述
特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 63.2mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 41.1mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 31.0mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 25.8mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)
SSM3J130TU,LF特性
- 1.5 V驱动
- 低导通电阻:RDS(ON) = 63.2 mΩ(最大值)(@VGS = -1.5 V)
- RDS(ON) = 41.1 mΩ(最大值)(@VGS = -1.8 V)
- RDS(ON) = 31.0 mΩ(最大值)(@VGS = -2.5 V)
- RDS(ON) = 25.8 mΩ(最大值)(@VGS = -4.5 V)
SSM3J130TU,LF应用领域
- 电源管理开关应用