SSM14N956L, EFF
IC
DFN-14(3x3)
可供量大可议
SSM14N956L, EFF
特性：低源极-源极导通电阻：ΔRₛₛ(ₒₙ) = 1.1 mΩ（典型值）(@V_GS = 3.8 V)； ΔRₛₛ(ₒₙ) = 1.0 mΩ（典型值）(@V_GS = 4.5 V)。 RoHS兼容。 无卤。 应用：电池保护电路
品牌
TOSHIBA
封装
DFN-14(3x3)
库存
70
货期
现货
SSM14N956L, EFF参数
| 封装 | DFN-14(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
SSM14N956L, EFF概述
特性：低源极-源极导通电阻：ΔRₛₛ(ₒₙ) = 1.1 mΩ（典型值）(@V_GS = 3.8 V)； ΔRₛₛ(ₒₙ) = 1.0 mΩ（典型值）(@V_GS = 4.5 V)。 RoHS兼容。 无卤。 应用：电池保护电路
SSM14N956L, EFF特性
暂无产品特性。
SSM14N956L, EFF应用领域
暂无应用领域。