SSC8336GN4
IC
PDFN-8L(3.3x3.3)
可供量大可议
SSC8336GN4
双N沟道增强型MOSFET， 采用先进沟槽技术， 具备低导通电阻和低栅极电荷， 可用于电平转换高端开关等应用
品牌
AF
封装
PDFN-8L(3.3x3.3)
库存
4,970
货期
现货
SSC8336GN4参数
| 封装 | PDFN-8L(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | AF(晶岳) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4970 |
SSC8336GN4概述
双N沟道增强型MOSFET， 采用先进沟槽技术， 具备低导通电阻和低栅极电荷， 可用于电平转换高端开关等应用
SSC8336GN4特性
暂无产品特性。
SSC8336GN4应用领域
暂无应用领域。