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SSC8121GN1
IC

DFN1006-3L

可供量大可议

SSC8121GN1

P沟道增强型MOSFET, 采用高密度DMOS沟槽技术, 适用于低电压应用

品牌

AF

封装

DFN1006-3L

库存

9,700

货期

现货

SSC8121GN1参数

封装DFN1006-3L
品牌AF(晶岳)
MOQ / SPQ1 / 20
分类场效应管(MOSFET)
库存9700

SSC8121GN1概述

P沟道增强型MOSFET, 采用高密度DMOS沟槽技术, 适用于低电压应用

SSC8121GN1特性

暂无产品特性。

SSC8121GN1应用领域

暂无应用领域。

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