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SSC8030GQ4
IC

DFN-8(3x3)

可供量大可议

SSC8030GQ4

N沟道增强型MOSFET, 采用先进沟槽技术, 具备低导通电阻和低栅极电荷, 适用于负载开关和PWM应用

品牌

AF

封装

DFN-8(3x3)

库存

4,800

货期

现货

SSC8030GQ4参数

封装DFN-8(3x3)
品牌AF(晶岳)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存4800

SSC8030GQ4概述

N沟道增强型MOSFET, 采用先进沟槽技术, 具备低导通电阻和低栅极电荷, 适用于负载开关和PWM应用

SSC8030GQ4特性

暂无产品特性。

SSC8030GQ4应用领域

暂无应用领域。

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