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SSC8030GN2
IC

DFN-6(2x2)

可供量大可议

SSC8030GN2

N沟道增强型MOSFET, 采用高密度DMOS沟槽技术, 适用于低电压应用

品牌

AF

封装

DFN-6(2x2)

库存

2,760

货期

现货

SSC8030GN2参数

封装DFN-6(2x2)
品牌AF(晶岳)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2760

SSC8030GN2概述

N沟道增强型MOSFET, 采用高密度DMOS沟槽技术, 适用于低电压应用

SSC8030GN2特性

暂无产品特性。

SSC8030GN2应用领域

暂无应用领域。

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