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SSC80211GN4
IC

PDFN-8L(3.3x3.3)

可供量大可议

SSC80211GN4

P沟道增强型MOSFET, 采用先进沟槽技术, 具备低导通电阻和低栅极电荷

品牌

AF

封装

PDFN-8L(3.3x3.3)

库存

4,945

货期

现货

SSC80211GN4参数

封装PDFN-8L(3.3x3.3)
品牌AF(晶岳)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存4945

SSC80211GN4概述

P沟道增强型MOSFET, 采用先进沟槽技术, 具备低导通电阻和低栅极电荷

SSC80211GN4特性

暂无产品特性。

SSC80211GN4应用领域

暂无应用领域。

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