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SSA36-HXY
IC

SMA

可供量大可议

SSA36-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为60V, 典型正向压降为0.7V, 在反向电压下漏电流不超过500μA。 器件具备70A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于对导通效率和瞬态耐受性有要求的场合, 如开关电源输出整流、高频逆变电路及各类直流转换模块中的续流与箝位功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

175

货期

现货

SSA36-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存175

SSA36-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为60V, 典型正向压降为0.7V, 在反向电压下漏电流不超过500μA。 器件具备70A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于对导通效率和瞬态耐受性有要求的场合, 如开关电源输出整流、高频逆变电路及各类直流转换模块中的续流与箝位功能。

SSA36-HXY特性

暂无产品特性。

SSA36-HXY应用领域

暂无应用领域。

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