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SSA24-HXY
IC

SMA

可供量大可议

SSA24-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为2A, 最大反向电压VR达40V。 其正向压降VF典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流IR为500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源极性保护等电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

135

货期

现货

SSA24-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存135

SSA24-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为2A, 最大反向电压VR达40V。 其正向压降VF典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流IR为500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源极性保护等电路场合。

SSA24-HXY特性

暂无产品特性。

SSA24-HXY应用领域

暂无应用领域。

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