SSA24-HXY
IC
SMA
可供量大可议
SSA24-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为2A, 最大反向电压VR达40V。 其正向压降VF典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流IR为500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源极性保护等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
135
货期
现货
SSA24-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 135 |
SSA24-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为2A, 最大反向电压VR达40V。 其正向压降VF典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流IR为500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源极性保护等电路场合。
SSA24-HXY特性
暂无产品特性。
SSA24-HXY应用领域
暂无应用领域。
