SS8550D
IC
SOT-89
可供量大可议
SS8550D
TDD（台冠 / 台源电子) 三极管配置 独立式； 晶体管类型 PNP； 1 个 PNP； 直流电流增益 (hFE) 120~200； 集电极截止电流 (Icbo) 100nA； 集射极饱和电压 (VCE (sat)) 300mV； 集射极击穿电压 (Vceo) 25V； 射基极击穿电压 (VEBO) 5V； 特征频率 (fT) 100MHz； 集电极电流 (IC) 1.5A； 耗散功率 (pd) 1W； 工作结温范围 -55℃~+150℃
品牌
TDD
封装
SOT-89
库存
1,000
货期
现货
SS8550D参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | TDD(台冠电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 1000 |
SS8550D概述
TDD（台冠 / 台源电子) 三极管配置 独立式； 晶体管类型 PNP； 1 个 PNP； 直流电流增益 (hFE) 120~200； 集电极截止电流 (Icbo) 100nA； 集射极饱和电压 (VCE (sat)) 300mV； 集射极击穿电压 (Vceo) 25V； 射基极击穿电压 (VEBO) 5V； 特征频率 (fT) 100MHz； 集电极电流 (IC) 1.5A； 耗散功率 (pd) 1W； 工作结温范围 -55℃~+150℃
SS8550D特性
暂无产品特性。
SS8550D应用领域
暂无应用领域。