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SS3H9-E3/57T-HXY
IC

SMC

可供量大可议

SS3H9-E3/57T-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为90V。 其正向压降典型值为0.74V, 在90V反向电压下漏电流不超过200μA。 器件具备较低的导通损耗与较快的开关响应特性, 适用于对效率和速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频续流等电路场景, 可有效提升系统能效并简化热管理设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC

库存

90

货期

现货

SS3H9-E3/57T-HXY参数

封装SMC
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存90

SS3H9-E3/57T-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为90V。 其正向压降典型值为0.74V, 在90V反向电压下漏电流不超过200μA。 器件具备较低的导通损耗与较快的开关响应特性, 适用于对效率和速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频续流等电路场景, 可有效提升系统能效并简化热管理设计。

SS3H9-E3/57T-HXY特性

暂无产品特性。

SS3H9-E3/57T-HXY应用领域

暂无应用领域。

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