SS3H9-E3/57T-HXY
IC
SMC
可供量大可议
SS3H9-E3/57T-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为90V。 其正向压降典型值为0.74V, 在90V反向电压下漏电流不超过200μA。 器件具备较低的导通损耗与较快的开关响应特性, 适用于对效率和速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频续流等电路场景, 可有效提升系统能效并简化热管理设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC
库存
90
货期
现货
SS3H9-E3/57T-HXY参数
| 封装 | SMC |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 90 |
SS3H9-E3/57T-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为90V。 其正向压降典型值为0.74V, 在90V反向电压下漏电流不超过200μA。 器件具备较低的导通损耗与较快的开关响应特性, 适用于对效率和速度有一定要求的电源整流、极性保护及高频续流等电路场景, 可有效提升系统能效并简化热管理设计。
SS3H9-E3/57T-HXY特性
暂无产品特性。
SS3H9-E3/57T-HXY应用领域
暂无应用领域。
