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SS3H10-E3/57T-HXY
IC

SMC

可供量大可议

SS3H10-E3/57T-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为100V。 其正向压降典型值为0.85V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流仅为20μA, 表现出优异的反向阻断能力。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于开关电源、高频整流、电源转换模块及便携式电子设备中的高效能电路, 满足对低损耗与高可靠性的应用需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC

库存

85

货期

现货

SS3H10-E3/57T-HXY参数

封装SMC
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存85

SS3H10-E3/57T-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为100V。 其正向压降典型值为0.85V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流仅为20μA, 表现出优异的反向阻断能力。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于开关电源、高频整流、电源转换模块及便携式电子设备中的高效能电路, 满足对低损耗与高可靠性的应用需求。

SS3H10-E3/57T-HXY特性

暂无产品特性。

SS3H10-E3/57T-HXY应用领域

暂无应用领域。

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