SS36FA-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
SS36FA-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的平均正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)在额定条件下为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达80A的浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
185
货期
现货
SS36FA-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
SS36FA-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的平均正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)在额定条件下为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达80A的浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。
SS36FA-HXY特性
暂无产品特性。
SS36FA-HXY应用领域
暂无应用领域。
