SS36-E3/57T-HXY
IC
SMC
可供量大可议
SS36-E3/57T-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及高频续流等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC
库存
2,555
货期
现货
SS36-E3/57T-HXY参数
| 封装 | SMC |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2555 |
SS36-E3/57T-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及高频续流等应用场景。
SS36-E3/57T-HXY特性
暂无产品特性。
SS36-E3/57T-HXY应用领域
暂无应用领域。
