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SS2H10-E3/52T-HXY
IC

SMB

可供量大可议

SS2H10-E3/52T-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场合。 凭借较低的VF与适中的VR参数组合, 该器件在多种电源转换及保护电路中具备实用价值。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

105

货期

现货

SS2H10-E3/52T-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存105

SS2H10-E3/52T-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场合。 凭借较低的VF与适中的VR参数组合, 该器件在多种电源转换及保护电路中具备实用价值。

SS2H10-E3/52T-HXY特性

暂无产品特性。

SS2H10-E3/52T-HXY应用领域

暂无应用领域。

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