SS2H10-E3/52T-HXY
IC
SMB
可供量大可议
SS2H10-E3/52T-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场合。 凭借较低的VF与适中的VR参数组合, 该器件在多种电源转换及保护电路中具备实用价值。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
105
货期
现货
SS2H10-E3/52T-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 105 |
SS2H10-E3/52T-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场合。 凭借较低的VF与适中的VR参数组合, 该器件在多种电源转换及保护电路中具备实用价值。
SS2H10-E3/52T-HXY特性
暂无产品特性。
SS2H10-E3/52T-HXY应用领域
暂无应用领域。
