SS2FH6HM3/H-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
SS2FH6HM3/H-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景, 常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
2,975
货期
现货
SS2FH6HM3/H-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2975 |
SS2FH6HM3/H-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景, 常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。
SS2FH6HM3/H-HXY特性
暂无产品特性。
SS2FH6HM3/H-HXY应用领域
暂无应用领域。
