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SS2FH6HM3/H-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

SS2FH6HM3/H-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景, 常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

2,975

货期

现货

SS2FH6HM3/H-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存2975

SS2FH6HM3/H-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关场景, 常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。

SS2FH6HM3/H-HXY特性

暂无产品特性。

SS2FH6HM3/H-HXY应用领域

暂无应用领域。

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