SS2FH10-M3/H-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
SS2FH10-M3/H-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.85V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流仅为20μA, 体现出优良的反向阻断能力。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换、极性保护及各类对效率和热性能有要求的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
330
货期
现货
SS2FH10-M3/H-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 330 |
SS2FH10-M3/H-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.85V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流仅为20μA, 体现出优良的反向阻断能力。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换、极性保护及各类对效率和热性能有要求的电子电路中。
SS2FH10-M3/H-HXY特性
暂无产品特性。
SS2FH10-M3/H-HXY应用领域
暂无应用领域。
