SS1FN6-M3/H
IC
DO-219AB(SMF)
可供量大可议
SS1FN6-M3/H
特性：低外形封装。 适合自动贴装。 低正向压降， 低功率损耗。 低泄漏电流。 符合MSL 1级， 根据J-STD-020标准， LF最大峰值为260℃。 可进行波峰焊和回流焊。 应用：用于高频逆变器。 续流
品牌
VISHAY
封装
DO-219AB(SMF)
库存
415
货期
现货
SS1FN6-M3/H参数
| 封装 | DO-219AB(SMF) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 415 |
SS1FN6-M3/H概述
特性：低外形封装。 适合自动贴装。 低正向压降， 低功率损耗。 低泄漏电流。 符合MSL 1级， 根据J-STD-020标准， LF最大峰值为260℃。 可进行波峰焊和回流焊。 应用：用于高频逆变器。 续流
SS1FN6-M3/H特性
暂无产品特性。
SS1FN6-M3/H应用领域
暂无应用领域。