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SS1FL4-M3/H-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

SS1FL4-M3/H-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为1A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)为200μA。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于电源整流、高频开关及低电压输出等电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

185

货期

现货

SS1FL4-M3/H-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

SS1FL4-M3/H-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为1A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)为200μA。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于电源整流、高频开关及低电压输出等电路场合。

SS1FL4-M3/H-HXY特性

暂无产品特性。

SS1FL4-M3/H-HXY应用领域

暂无应用领域。

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