SS1FL4-M3/H-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
SS1FL4-M3/H-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为1A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)为200μA。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于电源整流、高频开关及低电压输出等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
185
货期
现货
SS1FL4-M3/H-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
SS1FL4-M3/H-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为1A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)为200μA。 器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于电源整流、高频开关及低电压输出等电路场合。
SS1FL4-M3/H-HXY特性
暂无产品特性。
SS1FL4-M3/H-HXY应用领域
暂无应用领域。
