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SS1FH10-M3/H-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

SS1FH10-M3/H-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.84V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为40μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件适用于对效率和热管理有一定要求的电源整流、信号检波及高频开关等电路场合, 凭借肖特基结构带来的快速恢复特性, 可在多种电子系统中实现稳定可靠的单向导通功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

80

货期

现货

SS1FH10-M3/H-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存80

SS1FH10-M3/H-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.84V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为40μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件适用于对效率和热管理有一定要求的电源整流、信号检波及高频开关等电路场合, 凭借肖特基结构带来的快速恢复特性, 可在多种电子系统中实现稳定可靠的单向导通功能。

SS1FH10-M3/H-HXY特性

暂无产品特性。

SS1FH10-M3/H-HXY应用领域

暂无应用领域。

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