SS1FH10-M3/H-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
SS1FH10-M3/H-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.84V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为40μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件适用于对效率和热管理有一定要求的电源整流、信号检波及高频开关等电路场合, 凭借肖特基结构带来的快速恢复特性, 可在多种电子系统中实现稳定可靠的单向导通功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
80
货期
现货
SS1FH10-M3/H-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 80 |
SS1FH10-M3/H-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.84V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为40μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件适用于对效率和热管理有一定要求的电源整流、信号检波及高频开关等电路场合, 凭借肖特基结构带来的快速恢复特性, 可在多种电子系统中实现稳定可靠的单向导通功能。
SS1FH10-M3/H-HXY特性
暂无产品特性。
SS1FH10-M3/H-HXY应用领域
暂无应用领域。
