SS1F4-M3/H-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
SS1F4-M3/H-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为200μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
150
货期
现货
SS1F4-M3/H-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 150 |
SS1F4-M3/H-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为200μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景。
SS1F4-M3/H-HXY特性
暂无产品特性。
SS1F4-M3/H-HXY应用领域
暂无应用领域。
