SS19
IC
SMA
可供量大可议
SS19
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过100μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
70
货期
现货
SS19参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 70 |
SS19概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过100μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。
SS19特性
暂无产品特性。
SS19应用领域
暂无应用领域。
