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SS19
IC

SMA

可供量大可议

SS19

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过100μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

70

货期

现货

SS19参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存70

SS19概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过100μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及高频开关等应用场景。

SS19特性

暂无产品特性。

SS19应用领域

暂无应用领域。

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