SS10PH45-M3/86A-HXY
IC
TO-277
可供量大可议
SS10PH45-M3/86A-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为10A, 最大反向电压VR为45V。 其正向压降VF低至0.53V, 有助于降低导通损耗, 提升系统效率; 在45V反向电压下漏电流IR为150μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向浪涌电流IFSM可达150A。 适用于对能效和热性能要求较高的低压整流、开关电源输出级以及高频续流等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-277
库存
185
货期
现货
SS10PH45-M3/86A-HXY参数
| 封装 | TO-277 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
SS10PH45-M3/86A-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为10A, 最大反向电压VR为45V。 其正向压降VF低至0.53V, 有助于降低导通损耗, 提升系统效率; 在45V反向电压下漏电流IR为150μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向浪涌电流IFSM可达150A。 适用于对能效和热性能要求较高的低压整流、开关电源输出级以及高频续流等电路场合。
SS10PH45-M3/86A-HXY特性
暂无产品特性。
SS10PH45-M3/86A-HXY应用领域
暂无应用领域。
