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SS10PH45-M3/86A-HXY
IC

TO-277

可供量大可议

SS10PH45-M3/86A-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为10A, 最大反向电压VR为45V。 其正向压降VF低至0.53V, 有助于降低导通损耗, 提升系统效率; 在45V反向电压下漏电流IR为150μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向浪涌电流IFSM可达150A。 适用于对能效和热性能要求较高的低压整流、开关电源输出级以及高频续流等电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-277

库存

185

货期

现货

SS10PH45-M3/86A-HXY参数

封装TO-277
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

SS10PH45-M3/86A-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为10A, 最大反向电压VR为45V。 其正向压降VF低至0.53V, 有助于降低导通损耗, 提升系统效率; 在45V反向电压下漏电流IR为150μA。 器件具备较强的浪涌承受能力, 非重复峰值正向浪涌电流IFSM可达150A。 适用于对能效和热性能要求较高的低压整流、开关电源输出级以及高频续流等电路场合。

SS10PH45-M3/86A-HXY特性

暂无产品特性。

SS10PH45-M3/86A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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