SQUN702E-T1_GE3
IC
SMD
可供量大可议
SQUN702E-T1_GE3
特性:优化的三芯片封装。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 AEC-Q101认证
品牌
VISHAY
封装
SMD
库存
1,998
货期
现货
SQUN702E-T1_GE3参数
| 封装 | SMD |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1998 |
SQUN702E-T1_GE3概述
特性:优化的三芯片封装。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 AEC-Q101认证
SQUN702E-T1_GE3特性
暂无产品特性。
SQUN702E-T1_GE3应用领域
暂无应用领域。
