SQS482EN-T1_GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体能效， 在高频率开关应用中表现稳定。 适用于对效率和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及各类电子负载控制场景， 能够有效支持大电流工作条件下的可靠运行。