SQS482EN-T1_BE3-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SQS482EN-T1_BE3-HXY
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为35A， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为7.5毫欧。 其电气特性适合用于中等功率的开关应用， 在导通状态下可有效控制功耗与温升。 由于具备较低的RDS(on)和适中的电流能力， 该器件适用于高效电源转换、电池供电设备中的功率开关以及同步整流等电路拓扑， 能够在有限的散热条件下维持稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
98
货期
现货
SQS482EN-T1_BE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
SQS482EN-T1_BE3-HXY概述
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为35A， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为7.5毫欧。 其电气特性适合用于中等功率的开关应用， 在导通状态下可有效控制功耗与温升。 由于具备较低的RDS(on)和适中的电流能力， 该器件适用于高效电源转换、电池供电设备中的功率开关以及同步整流等电路拓扑， 能够在有限的散热条件下维持稳定运行。
SQS482EN-T1_BE3-HXY特性
暂无产品特性。
SQS482EN-T1_BE3-HXY应用领域
暂无应用领域。