SQS481ENW-T1_GE3-VB
IC
DFN3x3-8
可供量大可议
SQS481ENW-T1_GE3-VB
DFN8(3X3)； P—Channel沟道, -200V； -3.6A； RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1.5~-4V
品牌
VBsemi
封装
DFN3x3-8
库存
4
货期
现货
SQS481ENW-T1_GE3-VB参数
| 封装 | DFN3x3-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
SQS481ENW-T1_GE3-VB概述
DFN8(3X3)； P—Channel沟道, -200V； -3.6A； RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1.5~-4V
SQS481ENW-T1_GE3-VB特性
暂无产品特性。
SQS481ENW-T1_GE3-VB应用领域
暂无应用领域。