SQS401EN-T1-GE3-VB
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
SQS401EN-T1-GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于多种电源控制和开关应用。 QFN8(3X3)； P—Channel沟道, -40V； -45A； RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1.2~-2.5V
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(3x3)
库存
42
货期
现货
SQS401EN-T1-GE3-VB参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:40V 电流:45A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 42 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V； 13mΩ@4.5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V |
| 类型 | P沟道 |
| 商品型号 | SQS401EN-T1-GE3-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00018 |
SQS401EN-T1-GE3-VB概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术， 具备低导通电阻、高开关性能和卓越品质。 这些器件非常适用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源的DC-AC转换器以及电机控制。
SQS401EN-T1-GE3-VB特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低导通电阻, 低压降
- 100%进行Rg和UIS测试
SQS401EN-T1-GE3-VB应用领域
- 电池、负载和适配器开关
- 笔记本电脑
- 笔记本电脑电池组