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SQS180ELNW-T1_GE3
IC

PowerPAK1212-8SLW

可供量大可议

SQS180ELNW-T1_GE3

汽车用N沟道MOSFET, 采用TrenchFET Gen IV技术, PowerPAK1212 - 8SLW封装, 通过AEC - Q101认证, 具备可焊侧翼端子和低热阻特性

品牌

VISHAY

封装

PowerPAK1212-8SLW

库存

88

货期

现货

SQS180ELNW-T1_GE3参数

封装PowerPAK1212-8SLW
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存88

SQS180ELNW-T1_GE3概述

汽车用N沟道MOSFET, 采用TrenchFET Gen IV技术, PowerPAK1212 - 8SLW封装, 通过AEC - Q101认证, 具备可焊侧翼端子和低热阻特性

SQS180ELNW-T1_GE3特性

暂无产品特性。

SQS180ELNW-T1_GE3应用领域

暂无应用领域。

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