SQS146ELNW-T1_GE3-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SQS146ELNW-T1_GE3-HXY
这款N沟道场效应管针对中低压大电流应用场景优化, 在40V耐压下实现了70A的持续电流吞吐能力。 其核心竞争力在于4.2mΩ的超低导通电阻, 能有效降低传导损耗, 显著缓解大电流下的温升压力。 器件支持±20V的栅极驱动电压, 具备良好的逻辑电平兼容性, 可适配多种控制拓扑。 凭借低阻抗与高可靠性的平衡, 它非常适用于高功率密度电源管理、智能设备负载开关及直流电机驱动回路, 为紧凑型功率设计提供稳健的通路保障。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
48
货期
现货
SQS146ELNW-T1_GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
SQS146ELNW-T1_GE3-HXY概述
这款N沟道场效应管针对中低压大电流应用场景优化, 在40V耐压下实现了70A的持续电流吞吐能力。 其核心竞争力在于4.2mΩ的超低导通电阻, 能有效降低传导损耗, 显著缓解大电流下的温升压力。 器件支持±20V的栅极驱动电压, 具备良好的逻辑电平兼容性, 可适配多种控制拓扑。 凭借低阻抗与高可靠性的平衡, 它非常适用于高功率密度电源管理、智能设备负载开关及直流电机驱动回路, 为紧凑型功率设计提供稳健的通路保障。
SQS146ELNW-T1_GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SQS146ELNW-T1_GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
