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SQS146ELNW-T1_GE3-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

SQS146ELNW-T1_GE3-HXY

这款N沟道场效应管针对中低压大电流应用场景优化, 在40V耐压下实现了70A的持续电流吞吐能力。 其核心竞争力在于4.2mΩ的超低导通电阻, 能有效降低传导损耗, 显著缓解大电流下的温升压力。 器件支持±20V的栅极驱动电压, 具备良好的逻辑电平兼容性, 可适配多种控制拓扑。 凭借低阻抗与高可靠性的平衡, 它非常适用于高功率密度电源管理、智能设备负载开关及直流电机驱动回路, 为紧凑型功率设计提供稳健的通路保障。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

48

货期

现货

SQS146ELNW-T1_GE3-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

SQS146ELNW-T1_GE3-HXY概述

这款N沟道场效应管针对中低压大电流应用场景优化, 在40V耐压下实现了70A的持续电流吞吐能力。 其核心竞争力在于4.2mΩ的超低导通电阻, 能有效降低传导损耗, 显著缓解大电流下的温升压力。 器件支持±20V的栅极驱动电压, 具备良好的逻辑电平兼容性, 可适配多种控制拓扑。 凭借低阻抗与高可靠性的平衡, 它非常适用于高功率密度电源管理、智能设备负载开关及直流电机驱动回路, 为紧凑型功率设计提供稳健的通路保障。

SQS146ELNW-T1_GE3-HXY特性

暂无产品特性。

SQS146ELNW-T1_GE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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