SQS124ELNW-T1_GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）支持100A的连续漏极电流， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至2.5毫欧。 其极低的导通电阻有效降低了导通损耗， 有利于提升整体能效并简化热设计。 器件适用于高电流、高效率要求的电源转换场景， 如服务器供电模块、高性能计算设备及便携式大功率储能系统等， 在高频开关条件下仍可维持稳定工作特性。