SQM50P06-15L-GE3-VB
IC
TO-263
可供量大可议
SQM50P06-15L-GE3-VB
台积电流片, 长电科技封装; 是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管, 采用Trench工艺, 适用于DC-DC转换器、电源开关模块等领域。 TO263; P—Channel沟道, -60V; -110A; RDS(ON)=6.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
TO-263
库存
20
货期
现货
SQM50P06-15L-GE3-VB参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
SQM50P06-15L-GE3-VB概述
台积电流片, 长电科技封装; 是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管, 采用Trench工艺, 适用于DC-DC转换器、电源开关模块等领域。 TO263; P—Channel沟道, -60V; -110A; RDS(ON)=6.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-3V
SQM50P06-15L-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SQM50P06-15L-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。
