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SQM120N10-3M8_GE3
IC

TO-263

可供量大可议

SQM120N10-3M8_GE3

N沟道, 100V, 120A, 0.0038Ω@10V

品牌

VISHAY

封装

TO-263

库存

365

货期

现货

SQM120N10-3M8_GE3参数

封装TO-263
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存365

SQM120N10-3M8_GE3概述

N沟道, 100V, 120A, 0.0038Ω@10V

SQM120N10-3M8_GE3特性

暂无产品特性。

SQM120N10-3M8_GE3应用领域

暂无应用领域。

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