SQM120N06-06_GE3
IC
TO-263(D2PAk)
可供量大可议
SQM120N06-06_GE3
特性：沟槽式场效应管功率MOSFET。 低热阻封装。 通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试
品牌
VISHAY
封装
TO-263(D2PAk)
库存
430
货期
现货
SQM120N06-06_GE3参数
| 封装 | TO-263(D2PAk) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 430 |
SQM120N06-06_GE3概述
特性：沟槽式场效应管功率MOSFET。 低热阻封装。 通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试
SQM120N06-06_GE3特性
暂无产品特性。
SQM120N06-06_GE3应用领域
暂无应用领域。