SQM110P06-8M9L_GE3
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
SQM110P06-8M9L_GE3
特性：TrenchFET功率MOSFET封装， 热阻低。 100%进行Rg和UIS测试。 通过AEC-Q101认证
品牌
VISHAY
封装
TO-263(D2PAK)
库存
1
货期
现货
SQM110P06-8M9L_GE3参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SQM110P06-8M9L_GE3概述
特性：TrenchFET功率MOSFET封装， 热阻低。 100%进行Rg和UIS测试。 通过AEC-Q101认证
SQM110P06-8M9L_GE3特性
暂无产品特性。
SQM110P06-8M9L_GE3应用领域
暂无应用领域。