SQM110N05-06L_GE3
IC
TO-263(D2PAk)
可供量大可议
SQM110N05-06L_GE3
特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求。 TrenchFET 功率 MOSFET。 低热阻封装。 通过 AEC-Q101 认证。 100%进行 Rg 和 UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
品牌
VISHAY
封装
TO-263(D2PAk)
库存
15
货期
现货
SQM110N05-06L_GE3参数
| 封装 | TO-263(D2PAk) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
SQM110N05-06L_GE3概述
特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求。 TrenchFET 功率 MOSFET。 低热阻封装。 通过 AEC-Q101 认证。 100%进行 Rg 和 UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
SQM110N05-06L_GE3特性
暂无产品特性。
SQM110N05-06L_GE3应用领域
暂无应用领域。