SQM110N05-06L-GE3-VB
IC
TO-263
可供量大可议
SQM110N05-06L-GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性， 能够满足中等功率、高电流应用的要求， 适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。 TO263； N—Channel沟道, 60V； 150A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-263
库存
25
货期
现货
SQM110N05-06L-GE3-VB参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
SQM110N05-06L-GE3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性， 能够满足中等功率、高电流应用的要求， 适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。 TO263； N—Channel沟道, 60V； 150A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
SQM110N05-06L-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SQM110N05-06L-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。