SQJQ184ER-T1_GE3
IC
SMD-8P
可供量大可议
SQJQ184ER-T1_GE3
特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试。 薄1.9mm高度
品牌
VISHAY
封装
SMD-8P
库存
4
货期
现货
SQJQ184ER-T1_GE3参数
| 封装 | SMD-8P |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
SQJQ184ER-T1_GE3概述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试。 薄1.9mm高度
SQJQ184ER-T1_GE3特性
暂无产品特性。
SQJQ184ER-T1_GE3应用领域
暂无应用领域。