SQJQ112E-T1_GE3
IC
PowerPAK-5(8x8)
可供量大可议
SQJQ112E-T1_GE3
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET， 符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试。 厚度为1.9mm
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK-5(8x8)
库存
6
货期
现货
SQJQ112E-T1_GE3参数
| 封装 | PowerPAK-5(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
SQJQ112E-T1_GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET， 符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试。 厚度为1.9mm
SQJQ112E-T1_GE3特性
暂无产品特性。
SQJQ112E-T1_GE3应用领域
暂无应用领域。