SQJ968EP-T1_GE3
Available可供
IC
PowerPAKSO-8L
SQJ968EP-T1_GE3
特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试
Brand
VISHAY
Package
PowerPAKSO-8L
交期
现货
Date Code
—
SQJ968EP-T1_GE3Parameters
| 封装 | PowerPAKSO-8L |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | SQJ968EP-T1_GE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0004 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3018 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33.6mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 714pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 98pF |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:60V 电流:23.5A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
SQJ968EP-T1_GE3概述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试
SQJ968EP-T1_GE3特性
- 沟槽型场效应管功率MOSFET
- 符合AEC-Q101标准
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性负载(UIS)测试
- 符合RoHS标准且无卤