SQJ418EP-T1_GE3
IC
PowerPAKSO-8L
可供量大可议
SQJ418EP-T1_GE3
特性：沟槽场效应晶体管功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100% Rg和UIS测试。 材料分类：有关合规性定义， 请参阅相关文档
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8L
库存
175
货期
现货
SQJ418EP-T1_GE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8L |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 175 |
SQJ418EP-T1_GE3概述
特性：沟槽场效应晶体管功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100% Rg和UIS测试。 材料分类：有关合规性定义， 请参阅相关文档
SQJ418EP-T1_GE3特性
暂无产品特性。
SQJ418EP-T1_GE3应用领域
暂无应用领域。