SQJ170ELP-T1_GE3
IC
PowerPAKSO-8
可供量大可议
SQJ170ELP-T1_GE3
SQJ170ELP-T1_GE3
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8
库存
10
货期
现货
SQJ170ELP-T1_GE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 商品型号 | SQJ170ELP-T1_GE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000171 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.3mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.165nF |
| 商品名称 | SQJ170ELP-T1_GE3 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
SQJ170ELP-T1_GE3概述
SQJ170ELP-T1_GE3
SQJ170ELP-T1_GE3特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
SQJ170ELP-T1_GE3应用领域
暂无应用领域。