SQD90P04-9M4L_GE3-HXY

本产品为P沟道场效应管（MOSFET）， 具有较高的电流承载能力， 最大漏极电流ID可达80A， 漏源电压VDSS为40V， 适用于中高功率应用场景。 导通电阻RDON低至7.3mΩ， 有助于降低导通损耗， 提高系统效率。 该器件采用先进工艺制造， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适用于各类电源管理、负载开关、电池供电设备以及消费类电子产品中的高效能需求场合。