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SQD70140EL_GE3-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

SQD70140EL_GE3-HXY

该N沟道场效应管额定漏源电压为100V, 连续漏极电流高达60A, 导通电阻典型值为13.5mΩ。 凭借低导通损耗特性, 该器件在大电流开关应用中能有效降低发热并提升转换效率。 适用于高性能电源模块、直流电机驱动及储能系统等对功率密度和热管理有严格要求的电子设备, 助力实现更紧凑的电路设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

44

货期

现货

SQD70140EL_GE3-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存44

SQD70140EL_GE3-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏源电压为100V, 连续漏极电流高达60A, 导通电阻典型值为13.5mΩ。 凭借低导通损耗特性, 该器件在大电流开关应用中能有效降低发热并提升转换效率。 适用于高性能电源模块、直流电机驱动及储能系统等对功率密度和热管理有严格要求的电子设备, 助力实现更紧凑的电路设计。

SQD70140EL_GE3-HXY特性

暂无产品特性。

SQD70140EL_GE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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