SQD70140EL_GE3-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SQD70140EL_GE3-HXY
该N沟道场效应管额定漏源电压为100V, 连续漏极电流高达60A, 导通电阻典型值为13.5mΩ。 凭借低导通损耗特性, 该器件在大电流开关应用中能有效降低发热并提升转换效率。 适用于高性能电源模块、直流电机驱动及储能系统等对功率密度和热管理有严格要求的电子设备, 助力实现更紧凑的电路设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
44
货期
现货
SQD70140EL_GE3-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 44 |
SQD70140EL_GE3-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏源电压为100V, 连续漏极电流高达60A, 导通电阻典型值为13.5mΩ。 凭借低导通损耗特性, 该器件在大电流开关应用中能有效降低发热并提升转换效率。 适用于高性能电源模块、直流电机驱动及储能系统等对功率密度和热管理有严格要求的电子设备, 助力实现更紧凑的电路设计。
SQD70140EL_GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SQD70140EL_GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
