SQD50P06-15L_T4GE3
IC
TO-252AA
可供量大可议
SQD50P06-15L_T4GE3
1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
品牌
VISHAY
封装
TO-252AA
库存
38
货期
现货
SQD50P06-15L_T4GE3参数
| 封装 | TO-252AA |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 410pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:60V 电流:50A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 38 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 5.91nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 商品型号 | SQD50P06-15L_T4GE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000437 |
SQD50P06-15L_T4GE3概述
1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
SQD50P06-15L_T4GE3特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤
SQD50P06-15L_T4GE3应用领域
暂无应用领域。