SQD50P06-15L(TOKMAS)
IC
TO-252
可供量大可议
SQD50P06-15L(TOKMAS)
P MOS-60V-80A 内阻：9.8mΩ
品牌
Tokmas
封装
TO-252
库存
2,498
货期
现货
SQD50P06-15L(TOKMAS)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Tokmas(托克马斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
| 商品名称 | P沟道增强型MOSFET， 采用先进沟槽技术， 具备低导通电阻和低栅极电荷 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2498 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 3.35nF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | SQD50P06-15L(TOKMAS) |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.001 |
SQD50P06-15L(TOKMAS)概述
P MOS-60V-80A 内阻：9.8mΩ
SQD50P06-15L(TOKMAS)特性
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
SQD50P06-15L(TOKMAS)应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快速充电