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SQD50P03-07-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

SQD50P03-07-HXY

此场效应管为P型, 电流80A, 能承载较大功率。 电压30V, 可在多种常见电路环境中稳定运行。 内阻典型值5.5mR, 能量损耗较低。 VGS为25V。 在消费电子领域, 可用于特定电子设备的电流调控。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

4

货期

现货

SQD50P03-07-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存4

SQD50P03-07-HXY概述

此场效应管为P型, 电流80A, 能承载较大功率。 电压30V, 可在多种常见电路环境中稳定运行。 内阻典型值5.5mR, 能量损耗较低。 VGS为25V。 在消费电子领域, 可用于特定电子设备的电流调控。

SQD50P03-07-HXY特性

暂无产品特性。

SQD50P03-07-HXY应用领域

暂无应用领域。

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