SQD50P03-07-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SQD50P03-07-HXY
此场效应管为P型, 电流80A, 能承载较大功率。 电压30V, 可在多种常见电路环境中稳定运行。 内阻典型值5.5mR, 能量损耗较低。 VGS为25V。 在消费电子领域, 可用于特定电子设备的电流调控。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
4
货期
现货
SQD50P03-07-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
SQD50P03-07-HXY概述
此场效应管为P型, 电流80A, 能承载较大功率。 电压30V, 可在多种常见电路环境中稳定运行。 内阻典型值5.5mR, 能量损耗较低。 VGS为25V。 在消费电子领域, 可用于特定电子设备的电流调控。
SQD50P03-07-HXY特性
暂无产品特性。
SQD50P03-07-HXY应用领域
暂无应用领域。
