SQD50P03-07-GE3-VB
IC
TO-252
可供量大可议
SQD50P03-07-GE3-VB
P沟道； 电压：-30V； 电流：-60A； 导通电阻：11(mΩ)
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
1
货期
现货
SQD50P03-07-GE3-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SQD50P03-07-GE3-VB概述
P沟道； 电压：-30V； 电流：-60A； 导通电阻：11(mΩ)
SQD50P03-07-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SQD50P03-07-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。