SQD50N06-09L_GE3-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SQD50N06-09L_GE3-HXY
SQD50N06-09L_GE3 是一款高性能N沟道MOSFET， 封装采用紧凑型TO-252-2L， 旨在优化电路板空间利用。 该器件具有强劲的工作电压60V(VDSS)， 可持续提供高达80A的漏极电流(ID)， 同时以极低的导通电阻6.5mΩ(RD(on))表现出色， 从而有效减少能量损失， 提升整体电能转化效率。 SQD50N06-09L_GE3 适用于开关电源、马达驱动控制等多个领域， 是构建高效率、低功耗电子系统的可靠之选。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
7
货期
现货
SQD50N06-09L_GE3-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
SQD50N06-09L_GE3-HXY概述
SQD50N06-09L_GE3 是一款高性能N沟道MOSFET， 封装采用紧凑型TO-252-2L， 旨在优化电路板空间利用。 该器件具有强劲的工作电压60V(VDSS)， 可持续提供高达80A的漏极电流(ID)， 同时以极低的导通电阻6.5mΩ(RD(on))表现出色， 从而有效减少能量损失， 提升整体电能转化效率。 SQD50N06-09L_GE3 适用于开关电源、马达驱动控制等多个领域， 是构建高效率、低功耗电子系统的可靠之选。
SQD50N06-09L_GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SQD50N06-09L_GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。