SQD40P10-40L_GE3
IC
TO-252
可供量大可议
SQD40P10-40L_GE3
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 低热阻封装。 通过 AEC-Q101 认证。 100% Rg 和 USI 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
品牌
VISHAY
封装
TO-252
库存
1,163
货期
现货
SQD40P10-40L_GE3参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1163 |
SQD40P10-40L_GE3概述
特性：无卤， 符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 低热阻封装。 通过 AEC-Q101 认证。 100% Rg 和 USI 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
SQD40P10-40L_GE3特性
暂无产品特性。
SQD40P10-40L_GE3应用领域
暂无应用领域。